產(chǎn)品中心
產(chǎn)品分類(lèi)
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HCDN-501 射頻導(dǎo)納物位計(jì)
射頻導(dǎo)納測(cè)量技術(shù)是具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)的物位測(cè)量技術(shù)，當(dāng)液位計(jì)探頭安裝在容器中時(shí)構(gòu)成了一個(gè)電容器，探頭（測(cè)量電極）作為電容器的一個(gè)極板，容器作為電容器的另一個(gè)極板（若容器為絕緣材料，應(yīng)加入一參考電極），當(dāng)物位上升時(shí)，兩極板間介電性的變化而引起電容量發(fā)生改變，這一變化將引起作用于射頻導(dǎo)納開(kāi)關(guān)探頭的無(wú)線電波的變化，射頻導(dǎo)納物位計(jì)通過(guò)射頻電路檢測(cè)到這種無(wú)線電波的變化量并轉(zhuǎn)換成線性電流輸出。
HCDN-502 射頻導(dǎo)納物位計(jì)
射頻導(dǎo)納測(cè)量技術(shù)是具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)的物位測(cè)量技術(shù)，當(dāng)液位計(jì)探頭安裝在容器中時(shí)構(gòu)成了一個(gè)電容器，探頭（測(cè)量電極）作為電容器的一個(gè)極板，容器作為電容器的另一個(gè)極板（若容器為絕緣材料，應(yīng)加入一參考電極），當(dāng)物位上升時(shí)，兩極板間介電性的變化而引起電容量發(fā)生改變，這一變化將引起作用于射頻導(dǎo)納開(kāi)關(guān)探頭的無(wú)線電波的變化，射頻導(dǎo)納物位計(jì)通過(guò)射頻電路檢測(cè)到這種無(wú)線電波的變化量并轉(zhuǎn)換成線性電流輸出。
HCDN-503 射頻導(dǎo)納物位計(jì)
射頻導(dǎo)納測(cè)量技術(shù)是具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)的物位測(cè)量技術(shù)，當(dāng)液位計(jì)探頭安裝在容器中時(shí)構(gòu)成了一個(gè)電容器，探頭（測(cè)量電極）作為電容器的一個(gè)極板，容器作為電容器的另一個(gè)極板（若容器為絕緣材料，應(yīng)加入一參考電極），當(dāng)物位上升時(shí)，兩極板間介電性的變化而引起電容量發(fā)生改變，這一變化將引起作用于射頻導(dǎo)納開(kāi)關(guān)探頭的無(wú)線電波的變化，射頻導(dǎo)納物位計(jì)通過(guò)射頻電路檢測(cè)到這種無(wú)線電波的變化量并轉(zhuǎn)換成線性電流輸出。
HCDN-504 射頻導(dǎo)納物位計(jì)
射頻導(dǎo)納測(cè)量技術(shù)是具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)的物位測(cè)量技術(shù)，當(dāng)液位計(jì)探頭安裝在容器中時(shí)構(gòu)成了一個(gè)電容器，探頭（測(cè)量電極）作為電容器的一個(gè)極板，容器作為電容器的另一個(gè)極板（若容器為絕緣材料，應(yīng)加入一參考電極），當(dāng)物位上升時(shí)，兩極板間介電性的變化而引起電容量發(fā)生改變，這一變化將引起作用于射頻導(dǎo)納開(kāi)關(guān)探頭的無(wú)線電波的變化，射頻導(dǎo)納物位計(jì)通過(guò)射頻電路檢測(cè)到這種無(wú)線電波的變化量并轉(zhuǎn)換成線性電流輸出。
HCSP-30 射頻導(dǎo)納料位開(kāi)關(guān)
射頻導(dǎo)納料位開(kāi)關(guān)，是基于射頻導(dǎo)納原理的料位限制開(kāi)關(guān)，模塊化設(shè)計(jì)，經(jīng)濟(jì)實(shí)用?？梢詼y(cè)量多種介質(zhì)，可應(yīng)用在多種場(chǎng)合。
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